0 0 0
  7. STS4DNF60L

Транзисторы многоканальные STS4DNF60L

 
STS4DNF60L
 
STMicroelectronics
Артикул: 000335
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.87 грн
5+
45.10 грн
25+
39.81 грн
29+
34.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2388 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
STripFET™ F7(1714015)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g
 
Транзисторы многоканальные STS4DNF60L
STMicroelectronics
Артикул: 000335
Транзистор: N-MOSFET x2; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.87 грн
5+
45.10 грн
25+
39.81 грн
29+
34.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2388 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g