0 0 0
  8. STS5P3LLH6

Транзисторы с каналом P SMD STS5P3LLH6

 
STS5P3LLH6
 
STMicroelectronics
Артикул: 439216
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.11 грн
5+
57.49 грн
23+
44.87 грн
61+
42.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,2А(1492401)
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм(1479311)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
STripFET™ H6(1823387)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD STS5P3LLH6
STMicroelectronics
Артикул: 439216
Транзистор: P-MOSFET; STripFET™ H6; полевой; -30В; -3,2А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.11 грн
5+
57.49 грн
23+
44.87 грн
61+
42.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,2А
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Технология
STripFET™ H6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g