0 0 0
  8. STW11NK100Z

Транзисторы с каналом N THT STW11NK100Z

 
STW11NK100Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080140
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 8,3А; 230Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
181.40 грн
5+
159.70 грн
7+
139.54 грн
20+
131.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
8,3А(1479172)
Сопротивление в открытом состоянии
1,38Ом(1638695)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
230Вт(1701908)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™(1611363)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,527 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW11NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 080140
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 8,3А; 230Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
181.40 грн
5+
159.70 грн
7+
139.54 грн
20+
131.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
8,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
230Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,527 g