0 0 0
  8. STW11NK90Z

Транзисторы с каналом N THT STW11NK90Z

 
STW11NK90Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 400312
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 5,8А; Idm: 36,8А; 200Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
222.24 грн
3+
200.73 грн
7+
153.74 грн
18+
145.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 52 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
5,8А(1441377)
Сопротивление в открытом состоянии
980мОм(1694862)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36,8А(1810061)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,51 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW11NK90Z
STMicroelectronics
Артикул: 400312
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 900В; 5,8А; Idm: 36,8А; 200Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
222.24 грн
3+
200.73 грн
7+
153.74 грн
18+
145.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 52 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
5,8А
Сопротивление в открытом состоянии
980мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
200Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,51 g