Транзисторы с каналом N THT STW13NK100Z

 
STW13NK100Z
 
Артикул: 080147
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 8,2А; 350Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
578.31 грн
3+
421.72 грн
7+
398.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
8,2А(1492461)
Сопротивление в открытом состоянии
0,56Ом(1596286)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
350Вт(1701906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,51 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW13NK100Z
STMicroelectronics
Артикул: 080147
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 8,2А; 350Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
578.31 грн
3+
421.72 грн
7+
398.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
8,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,56Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
350Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,51 g