0 0 0
  8. STW19NM60N

Транзисторы с каналом N THT STW19NM60N

 
STW19NM60N
 
STMicroelectronics
Артикул: 542380
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,2А; Idm: 52А; 110Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
195.45 грн
5+
174.80 грн
7+
146.19 грн
19+
138.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
8,2А(1492461)
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом(1596288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
52А(1789218)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW19NM60N
STMicroelectronics
Артикул: 542380
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 8,2А; Idm: 52А; 110Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
195.45 грн
5+
174.80 грн
7+
146.19 грн
19+
138.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
8,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,26Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
52А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g