0 0 0
  8. STW28N60DM2

Транзисторы с каналом N THT STW28N60DM2

 
STW28N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 400315
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 14А; Idm: 84А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
261.40 грн
3+
235.18 грн
6+
190.69 грн
15+
180.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
170Вт(1740761)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
84А(1758593)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW28N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 400315
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 14А; Idm: 84А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
261.40 грн
3+
235.18 грн
6+
190.69 грн
15+
180.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
170Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
84А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g