0 0 0
  8. STW28N65M2

Транзисторы с каналом N THT STW28N65M2

 
STW28N65M2
 
STMicroelectronics
Артикул: 400316
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 650В; 13А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
310.72 грн
3+
279.65 грн
5+
219.89 грн
13+
207.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
170Вт(1740761)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ M2(1827843)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,49 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW28N65M2
STMicroelectronics
Артикул: 400316
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; полевой; 650В; 13А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
310.72 грн
3+
279.65 грн
5+
219.89 грн
13+
207.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
170Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ M2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,49 g