0 0 0
  8. STW48N60M6-4

Транзисторы с каналом N THT STW48N60M6-4

 
STW48N60M6-4
 
STMicroelectronics
Артикул: 436922
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 25А; Idm: 140А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
632.08 грн
3+
439.12 грн
7+
415.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
69мОм(1632985)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Технология
MDmesh™ M6(1827833)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
140А(1759379)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,16 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW48N60M6-4
STMicroelectronics
Артикул: 436922
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 25А; Idm: 140А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
632.08 грн
3+
439.12 грн
7+
415.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 16 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
69мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
57нC
Технология
MDmesh™ M6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
140А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,16 g