0 0 0
  8. STW56N60M2-4

Транзисторы с каналом N THT STW56N60M2-4

 
STW56N60M2-4
 
STMicroelectronics
Артикул: 542401
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; Idm: 208А; 350Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
618.94 грн
3+
463.21 грн
6+
437.78 грн
600+
420.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
350Вт(1701906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
91нC(1479344)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
208А(1823207)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW56N60M2-4
STMicroelectronics
Артикул: 542401
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 33А; Idm: 208А; 350Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
618.94 грн
3+
463.21 грн
6+
437.78 грн
600+
420.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
350Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
91нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
208А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g