0 0 0
  8. STW57N65M5-4

Транзисторы с каналом N THT STW57N65M5-4

 
STW57N65M5-4
 
STMicroelectronics
Артикул: 080207
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 26,5А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 052.08 грн
2+
971.95 грн
3+
918.79 грн
10+
883.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 19 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
26,5А(1628421)
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм(1479311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) Kelvin terminal(1786848)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,153 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW57N65M5-4
STMicroelectronics
Артикул: 080207
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 26,5А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 052.08 грн
2+
971.95 грн
3+
918.79 грн
10+
883.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 19 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
26,5А
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,153 g