0 0 0
  8. STW70N60DM6-4

Транзисторы с каналом N THT STW70N60DM6-4

 
STW70N60DM6-4
 
STMicroelectronics
Артикул: 436925
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 028.98 грн
2+
711.02 грн
4+
671.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
39А(1479333)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
390Вт(1741792)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
99нC(1479393)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
220А(1758587)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW70N60DM6-4
STMicroelectronics
Артикул: 436925
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 39А; Idm: 220А; 390Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 028.98 грн
2+
711.02 грн
4+
671.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
39А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
390Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
99нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
220А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g