0 0 0
  8. STWA32N65DM6AG

Транзисторы с каналом N THT STWA32N65DM6AG

 
STWA32N65DM6AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 606235
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 23А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
567.57 грн
3+
407.22 грн
7+
384.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
97мОм(1520447)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
320Вт(1520848)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52,6нC(1913302)
Технология
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g
 
Транзисторы с каналом N THT STWA32N65DM6AG
STMicroelectronics
Артикул: 606235
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 23А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
567.57 грн
3+
407.22 грн
7+
384.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
97мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
320Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52,6нC
Технология
MDmesh™ DM6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g