0 0 0
  8. STWA40N90K5

Транзисторы с каналом N THT STWA40N90K5

 
STWA40N90K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 400319
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 900В; 25А; Idm: 160А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 137.76 грн
2+
781.81 грн
4+
739.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
446Вт(1741744)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ K5(1827826)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
160А(1741661)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT STWA40N90K5
STMicroelectronics
Артикул: 400319
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; полевой; 900В; 25А; Idm: 160А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 137.76 грн
2+
781.81 грн
4+
739.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
446Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ K5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
160А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g