0 0 0
  8. STWA50N65DM2AG

Транзисторы с каналом N THT STWA50N65DM2AG

 
STWA50N65DM2AG
 
STMicroelectronics
Артикул: 542430
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 24А; Idm: 110А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
635.28 грн
3+
480.71 грн
6+
454.43 грн
600+
437.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
69нC(1479387)
Технология
MDmesh™ DM2(1827827)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
110А(1758590)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT STWA50N65DM2AG
STMicroelectronics
Артикул: 542430
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 650В; 24А; Idm: 110А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
635.28 грн
3+
480.71 грн
6+
454.43 грн
600+
437.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
69нC
Технология
MDmesh™ DM2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
110А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g