0 0 0
  8. STWA60N043DM9

Транзисторы с каналом N THT STWA60N043DM9

 
STWA60N043DM9
 
STMicroelectronics
Артикул: 995868
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 35А; Idm: 175А; 312Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
932.68 грн
2+
653.19 грн
5+
617.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
312Вт(1741830)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78,6нC(1997251)
Технология
MDmesh™(1611363)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
175А(1790440)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT STWA60N043DM9
STMicroelectronics
Артикул: 995868
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 35А; Idm: 175А; 312Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
932.68 грн
2+
653.19 грн
5+
617.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
312Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78,6нC
Технология
MDmesh™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
175А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g