0 0 0
  8. STWA68N65DM6

Транзисторы с каналом N THT STWA68N65DM6

 
STWA68N65DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 542433
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 35А; Idm: 172А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
838.63 грн
2+
623.41 грн
5+
589.26 грн
600+
567.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
51мОм(1596107)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
431Вт(1741959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Технология
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
172А(1789226)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT STWA68N65DM6
STMicroelectronics
Артикул: 542433
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 35А; Idm: 172А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
838.63 грн
2+
623.41 грн
5+
589.26 грн
600+
567.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
51мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
431Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80нC
Технология
MDmesh™ DM6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
172А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g