0 0 0
  8. STWA75N65DM6

Транзисторы с каналом N THT STWA75N65DM6

 
STWA75N65DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 995870
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 47А; Idm: 280А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 192.52 грн
2+
845.79 грн
4+
799.78 грн
10+
798.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
47А(1479369)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
480Вт(1741831)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
118нC(1693690)
Технология
MDmesh™ DM6(1827836)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
280А(1758578)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT STWA75N65DM6
STMicroelectronics
Артикул: 995870
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; полевой; 650В; 47А; Idm: 280А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 192.52 грн
2+
845.79 грн
4+
799.78 грн
10+
798.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
47А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
480Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
118нC
Технология
MDmesh™ DM6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
280А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g