0 0 0
  8. STY139N65M5

Транзисторы с каналом N THT STY139N65M5

 
STY139N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 080228
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 78А; 625Вт; MAX247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 967.12 грн
2+
1 859.91 грн
3+
1 859.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
MAX247(1639667)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
78А(1479434)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT STY139N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 080228
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 78А; 625Вт; MAX247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 967.12 грн
2+
1 859.91 грн
3+
1 859.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
MAX247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
78А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
625Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,5 g