0 0 0
  8. STY60NM50

Транзисторы с каналом N THT STY60NM50

 
STY60NM50
 
STMicroelectronics
Артикул: 080232
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 290.28 грн
2+
892.19 грн
4+
843.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
MAX247(1639667)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
37,8А(1628422)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
560Вт(1742076)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™(1611363)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,11 g
 
Транзисторы с каналом N THT STY60NM50
STMicroelectronics
Артикул: 080232
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 37,8А; 560Вт; MAX247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 290.28 грн
2+
892.19 грн
4+
843.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 23 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
MAX247
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
37,8А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
560Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,11 g