0 0 0
  8. P6SMB30CA M4G

Диоды transil SMD двунаправленные P6SMB30CA M4G

 
P6SMB30CA M4G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 302042
Диод: TVS; 600Вт; 30В; 15А; двунаправленный; ±5%; SMB; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.85 грн
25+
17.06 грн
78+
13.09 грн
213+
12.38 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 270 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMB(1598085)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
25,6В(1440630)
Конструкция диода
двунаправленный(1440419)
Импульсный ток
15А(1501520)
Напряжение пробоя
30В(1440631)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Peak pulse power dissipation
0,6кВт(1912991)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,243 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные P6SMB30CA M4G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 302042
Диод: TVS; 600Вт; 30В; 15А; двунаправленный; ±5%; SMB; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.85 грн
25+
17.06 грн
78+
13.09 грн
213+
12.38 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 270 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SMB
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
25,6В
Конструкция диода
двунаправленный
Импульсный ток
15А
Напряжение пробоя
30В
Ток утечки
1мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Peak pulse power dissipation
0,6кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,243 g