0 0 0
  8. TESD5V0L1UC RJG

Диоды transil SMD двунаправленные TESD5V0L1UC RJG

 
TESD5V0L1UC RJG
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 614819
Диод: TVS; 100Вт; 6÷9,8В; 3А; двунаправленный; DFN1006-2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.74 грн
100+
4.75 грн
250+
3.78 грн
270+
3.69 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN1006-2(1801351)
Обратное напряжение макс.
5В(1440536)
Конструкция диода
двунаправленный(1440419)
Импульсный ток
3А(1501450)
Напряжение пробоя
6...9,8В(1912207)
Ток утечки
0,1мкА(1615249)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Peak pulse power dissipation
100Вт(1911837)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Диоды transil SMD двунаправленные TESD5V0L1UC RJG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 614819
Диод: TVS; 100Вт; 6÷9,8В; 3А; двунаправленный; DFN1006-2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.74 грн
100+
4.75 грн
250+
3.78 грн
270+
3.69 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN1006-2
Обратное напряжение макс.
5В
Конструкция диода
двунаправленный
Импульсный ток
3А
Напряжение пробоя
6...9,8В
Ток утечки
0,1мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Peak pulse power dissipation
100Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g