0 0 0
  7. TESD5V0V4UA RDG

Диоды защитные - сборки TESD5V0V4UA RDG

 
TESD5V0V4UA RDG
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 555080
Диод: TVS, сборка; 6В; 5А; 95Вт; 2510P10; Ch: 4; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.06 грн
25+
14.29 грн
88+
11.12 грн
242+
10.56 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
2510P10(1909743)
Обратное напряжение макс.
5В(1440536)
Импульсный ток
5А(1440706)
Напряжение пробоя
6В(1501425)
Ток утечки
1мкА(1501355)
Кол-во каналов
4(1443902)
Применение
Ethernet(1501669) USB(1501678)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
95Вт(1911865)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Диоды защитные - сборки TESD5V0V4UA RDG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 555080
Диод: TVS, сборка; 6В; 5А; 95Вт; 2510P10; Ch: 4; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.06 грн
25+
14.29 грн
88+
11.12 грн
242+
10.56 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
2510P10
Обратное напряжение макс.
5В
Импульсный ток
5А
Напряжение пробоя
6В
Ток утечки
1мкА
Кол-во каналов
4
Применение
Ethernet
Применение
USB
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
95Вт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g