0 0 0
  7. TESD5V0V4UCU6 RFG

Диоды защитные - сборки TESD5V0V4UCU6 RFG

 
TESD5V0V4UCU6 RFG
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 555081
Диод: TVS, сборка; 6В; 6А; 150Вт; SOT363; Ch: 4; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.25 грн
25+
14.90 грн
78+
13.07 грн
212+
12.36 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Обратное напряжение макс.
5В(1440536)
Импульсный ток
6А(1586754)
Напряжение пробоя
6В(1501425)
Ток утечки
3мкА(1600443)
Кол-во каналов
4(1443902)
Применение
Ethernet(1501669) USB(1501678)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный, сборка(1501444)
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
0,15кВт(1912993)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Диоды защитные - сборки TESD5V0V4UCU6 RFG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 555081
Диод: TVS, сборка; 6В; 6А; 150Вт; SOT363; Ch: 4; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.25 грн
25+
14.90 грн
78+
13.07 грн
212+
12.36 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Обратное напряжение макс.
5В
Импульсный ток
6А
Напряжение пробоя
6В
Ток утечки
3мкА
Кол-во каналов
4
Применение
Ethernet
Применение
USB
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный, сборка
Характеристики полупроводниковых элементов
защита ESD
Peak pulse power dissipation
0,15кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g