0 0 0
  8. TSM110NB04CR RLG

Транзисторы с каналом N SMD TSM110NB04CR RLG

 
TSM110NB04CR RLG
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 556798
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; 23Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.09 грн
5+
62.26 грн
19+
54.00 грн
50+
51.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56(1912181)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
23Вт(1507402)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
23нC(1479059)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD TSM110NB04CR RLG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 556798
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12А; 23Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.09 грн
5+
62.26 грн
19+
54.00 грн
50+
51.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
23Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
23нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g