0 0 0
  7. TSM110NB04DCR RLG

Транзисторы многоканальные TSM110NB04DCR RLG

 
TSM110NB04DCR RLG
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 553744
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 10А; 9,6Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.69 грн
5+
90.12 грн
13+
77.36 грн
35+
73.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56(1912181)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
9,6Вт(1741912)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные TSM110NB04DCR RLG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 553744
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 10А; 9,6Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.69 грн
5+
90.12 грн
13+
77.36 грн
35+
73.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
9,6Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
25нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g