Транзисторы с каналом N SMD TSM150NB04LCR RLG

 
TSM150NB04LCR RLG
 
Артикул: 556806
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10А; 19Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.74 грн
5+
56.38 грн
21+
48.92 грн
56+
46.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56(1912181)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
10А(1441290)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
19Вт(1623857)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD TSM150NB04LCR RLG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 556806
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 10А; 19Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.74 грн
5+
56.38 грн
21+
48.92 грн
56+
46.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
10А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
19Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
18нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g