Транзисторы многоканальные TSM300NB06DCR RLG

 
TSM300NB06DCR RLG
 
Артикул: 553747
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6А; 8Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.93 грн
5+
79.75 грн
15+
67.79 грн
40+
64.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PDFN56(1912181)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
8Вт(1602213)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные TSM300NB06DCR RLG
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 553747
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 6А; 8Вт; PDFN56
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.93 грн
5+
79.75 грн
15+
67.79 грн
40+
64.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
PDFN56
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
8Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g