0 0 0
  8. TSM60NB190CZ C0G

Транзисторы с каналом N THT TSM60NB190CZ C0G

 
TSM60NB190CZ C0G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557211
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,8А; 150,6Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
237.27 грн
5+
214.10 грн
6+
186.94 грн
15+
176.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
10,8А(1604656)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150,6Вт(1912175)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT TSM60NB190CZ C0G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557211
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 10,8А; 150,6Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
237.27 грн
5+
214.10 грн
6+
186.94 грн
15+
176.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
10,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150,6Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
31нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g