0 0 0
  8. TSM60NB1R4CH C5G

Транзисторы с каналом N THT TSM60NB1R4CH C5G

 
TSM60NB1R4CH C5G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557212
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.59 грн
20+
51.64 грн
53+
49.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
28,4Вт(1741849)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
7,12нC(1912176)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT TSM60NB1R4CH C5G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557212
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; 28,4Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.59 грн
20+
51.64 грн
53+
49.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
28,4Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
7,12нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g