0 0 0
  8. TSM80N1R2CH C5G

Транзисторы с каналом N THT TSM80N1R2CH C5G

 
TSM80N1R2CH C5G
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557229
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,4А; 110Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
141.04 грн
5+
125.90 грн
10+
109.96 грн
25+
104.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
3,4А(1479117)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
19,4нC(1775238)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT TSM80N1R2CH C5G
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 557229
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,4А; 110Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
141.04 грн
5+
125.90 грн
10+
109.96 грн
25+
104.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
19,4нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g