0 0 0
  8. CSD13302WT

Транзисторы с каналом N SMD CSD13302WT

 
CSD13302WT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547696
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 1,6А; Idm: 29А; 1,8Вт; DSBGA4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.14 грн
5+
50.99 грн
24+
41.99 грн
65+
39.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA4(1499621)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
1,6А(1479099)
Сопротивление в открытом состоянии
25,8мОм(1908855)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
29А(1810501)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD13302WT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547696
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 1,6А; Idm: 29А; 1,8Вт; DSBGA4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.14 грн
5+
50.99 грн
24+
41.99 грн
65+
39.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA4
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
1,6А
Сопротивление в открытом состоянии
25,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
29А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g