Транзисторы с каналом N SMD CSD13306WT

 
CSD13306WT
 
Артикул: 547697
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,5А; Idm: 44А; 1,9Вт; DSBGA6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.74 грн
5+
57.52 грн
21+
47.32 грн
57+
44.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
3,5А(1441257)
Сопротивление в открытом состоянии
15,5мОм(1479180)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,9Вт(1449536)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
44А(1789214)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD13306WT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547697
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 3,5А; Idm: 44А; 1,9Вт; DSBGA6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.74 грн
5+
57.52 грн
21+
47.32 грн
57+
44.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
15,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
44А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g