0 0 0
  8. CSD13383F4T

Транзисторы с каналом N SMD CSD13383F4T

 
CSD13383F4T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547700
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 2,9А; Idm: 18,5А; 500мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
54.97 грн
10+
45.65 грн
26+
38.64 грн
70+
36.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PICOSTAR3(1908878)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
2,9А(1492567)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
18,5А(1908857)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD13383F4T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547700
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 2,9А; Idm: 18,5А; 500мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
54.97 грн
10+
45.65 грн
26+
38.64 грн
70+
36.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
PICOSTAR3
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
2,9А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
18,5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g