0 0 0
  8. CSD17308Q3T

Транзисторы с каналом N SMD CSD17308Q3T

 
CSD17308Q3T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 317823
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.30 грн
10+
56.86 грн
22+
46.06 грн
59+
43.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 218 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSON-CLIP8(1814809)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм(1479219)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Размеры
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
3,9нC(1642906)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
167А(1950987)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,199 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD17308Q3T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 317823
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.30 грн
10+
56.86 грн
22+
46.06 грн
59+
43.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 218 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSON-CLIP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
9,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Размеры
3,3x3,3мм
Заряд затвора
3,9нC
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
167А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,199 g