0 0 0
  8. CSD17313Q2Q1T

Транзисторы с каналом N SMD CSD17313Q2Q1T

 
CSD17313Q2Q1T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547706
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 57А; 17Вт; WSON6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.86 грн
5+
74.09 грн
17+
60.55 грн
45+
56.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
WSON6(1814808)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм(1478970)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
17Вт(1740767)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-8...10В(1981524)
Ток стока в импульсном режиме
57А(1829684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD17313Q2Q1T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547706
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 5А; Idm: 57А; 17Вт; WSON6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
82.86 грн
5+
74.09 грн
17+
60.55 грн
45+
56.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
WSON6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
17Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-8...10В
Ток стока в импульсном режиме
57А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g