Транзисторы с каналом N SMD CSD17578Q3AT

 
CSD17578Q3AT
 
Артикул: 317826
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 37Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.94 грн
5+
82.84 грн
17+
60.54 грн
46+
57.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 462 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм(1478995)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37Вт(1740770)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Размеры
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
7,9нC(1693777)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD17578Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 317826
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 37Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
105.94 грн
5+
82.84 грн
17+
60.54 грн
46+
57.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 462 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
8,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Размеры
3,3x3,3мм
Заряд затвора
7,9нC
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g