Транзисторы с каналом N SMD CSD19502Q5BT

 
CSD19502Q5BT
 
Артикул: 317834
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
198.63 грн
5+
177.97 грн
8+
137.45 грн
20+
130.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSON-CLIP8(1814809)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
3,4мОм(1599145)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
195Вт(1741754)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Размеры
5x6мм(1814800)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD19502Q5BT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 317834
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 195Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
198.63 грн
5+
177.97 грн
8+
137.45 грн
20+
130.30 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSON-CLIP8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
3,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
195Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Размеры
5x6мм
Заряд затвора
48нC
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g