0 0 0
  8. CSD19538Q3AT

Транзисторы с каналом N SMD CSD19538Q3AT

 
CSD19538Q3AT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075909
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.56 грн
5+
63.07 грн
22+
46.14 грн
59+
43.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 723 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм(1625136)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
23Вт(1507402)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Размеры
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
4,3нC(1479177)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,114 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD19538Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075909
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.56 грн
5+
63.07 грн
22+
46.14 грн
59+
43.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 723 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
49мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
23Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Размеры
3,3x3,3мм
Заряд затвора
4,3нC
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,114 g