0 0 0
  8. CSD23202W10T

Транзисторы с каналом P SMD CSD23202W10T

 
CSD23202W10T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622840
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.97 грн
5+
53.39 грн
23+
43.70 грн
63+
41.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA4(1499621)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-2,2А(1479082)
Сопротивление в открытом состоянии
123мОм(1713742)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-25А(1810550)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CSD23202W10T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622840
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.97 грн
5+
53.39 грн
23+
43.70 грн
63+
41.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA4
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
123мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g