0 0 0
  8. CSD23203WT

Транзисторы с каналом P SMD CSD23203WT

 
CSD23203WT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622803
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.48 грн
21+
48.15 грн
57+
45.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Напряжение сток-исток
-8В(1441472)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
53мОм(1599741)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,75Вт(1742053)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-54А(1908865)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CSD23203WT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622803
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.48 грн
21+
48.15 грн
57+
45.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Напряжение сток-исток
-8В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
53мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-54А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g