0 0 0
  8. CSD25304W1015T

Транзисторы с каналом P SMD CSD25304W1015T

 
CSD25304W1015T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622777
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
59.81 грн
21+
48.14 грн
57+
45.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
92мОм(1610015)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,75Вт(1742053)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-41А(1908869)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CSD25304W1015T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622777
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -41А; 0,75Вт; DSBGA6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.69 грн
5+
59.81 грн
21+
48.14 грн
57+
45.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
92мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-41А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g