0 0 0
  8. CSD25402Q3AT

Транзисторы с каналом P SMD CSD25402Q3AT

 
CSD25402Q3AT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622814
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.75 грн
21+
49.26 грн
25+
49.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-35А(1733903)
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом(1492261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
69Вт(1708603)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-148А(1908870)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CSD25402Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622814
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -35А; Idm: -148А; 69Вт; VSONP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.74 грн
5+
59.75 грн
21+
49.26 грн
25+
49.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-35А
Сопротивление в открытом состоянии
0,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
69Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-148А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g