0 0 0
  8. CSD25481F4T

Транзисторы с каналом P SMD CSD25481F4T

 
CSD25481F4T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622848
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.18 грн
10+
50.14 грн
26+
38.53 грн
71+
36.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PICOSTAR3(1908878)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,5А(1492293)
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-13,1А(1908872)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CSD25481F4T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622848
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,5А; Idm: -13,1А; 500мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.18 грн
10+
50.14 грн
26+
38.53 грн
71+
36.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
PICOSTAR3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-13,1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g