0 0 0
  7. CSD85301Q2T

Транзисторы многоканальные CSD85301Q2T

 
CSD85301Q2T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547730
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.72 грн
5+
61.93 грн
19+
50.42 грн
52+
47.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
WSON6(1814808)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
2,3Вт(1449544)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
26А(1810486)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы многоканальные CSD85301Q2T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 547730
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5А; Idm: 26А; 2,3Вт; WSON6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
68.72 грн
5+
61.93 грн
19+
50.42 грн
52+
47.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
WSON6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
2,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
26А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g