0 0 0
  7. CSD85302LT

Транзисторы многоканальные CSD85302LT

 
CSD85302LT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 546678
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.41 грн
5+
60.23 грн
20+
49.11 грн
54+
46.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PICOSTAR4(1908879)
Конструкция диода
общий сток(1609794)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,7Вт(1515706)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы многоканальные CSD85302LT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 546678
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,7Вт; PICOSTAR4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
66.41 грн
5+
60.23 грн
20+
49.11 грн
54+
46.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
PICOSTAR4
Конструкция диода
общий сток
Напряжение сток-исток
20В
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g