0 0 0
  7. LM25101AMRX/NOPB

Драйверы MOSFET/IGBT LM25101AMRX/NOPB

 
LM25101AMRX/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 856006
IC: driver; полумост MOSFET; HSOIC8; -3÷3А; 120÷450мВ; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
269.10 грн
5+
242.11 грн
6+
198.45 грн
14+
187.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
HSOIC8(1995683)
Напряжение питания
9...14В DC(1493013)
Выходное напряжение
120...450мВ(1993051)
Выходной ток
-3...3А(1711653)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
430нс(1802869)
Время падения импульса
260нс(1802870)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM25101AMRX/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 856006
IC: driver; полумост MOSFET; HSOIC8; -3÷3А; 120÷450мВ; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
269.10 грн
5+
242.11 грн
6+
198.45 грн
14+
187.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
HSOIC8
Напряжение питания
9...14В DC
Выходное напряжение
120...450мВ
Выходной ток
-3...3А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
430нс
Время падения импульса
260нс
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Характеристики интегральных схем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g