0 0 0
  7. LM25101CMAX/NOPB

Драйверы MOSFET/IGBT LM25101CMAX/NOPB

 
LM25101CMAX/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855957
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; 1А; 280мВ÷1,1В; Ch: 2; 9÷14ВDC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
270.13 грн
5+
243.04 грн
6+
196.02 грн
14+
184.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
9...14В DC(1493013)
Выходное напряжение
280мВ...1,1В(1993052)
Выходной ток
1А(1443466)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
990нс(1846134)
Время падения импульса
715нс(1846135)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM25101CMAX/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855957
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; 1А; 280мВ÷1,1В; Ch: 2; 9÷14ВDC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
270.13 грн
5+
243.04 грн
6+
196.02 грн
14+
184.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
9...14В DC
Выходное напряжение
280мВ...1,1В
Выходной ток
1А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
990нс
Время падения импульса
715нс
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Характеристики интегральных схем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
полумост MOSFET
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g