0 0 0
  7. LM5101AM/NOPB

Драйверы MOSFET/IGBT LM5101AM/NOPB

 
LM5101AM/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 321563
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -3÷3А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
331.55 грн
5+
230.31 грн
12+
217.94 грн
95+
207.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 69 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
9...14В DC(1493013)
Выходной ток
-3...3А(1711653)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
430нс(1802869)
Время падения импульса
260нс(1802870)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
100В(1711088)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM5101AM/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 321563
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -3÷3А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
331.55 грн
5+
230.31 грн
12+
217.94 грн
95+
207.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 69 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
9...14В DC
Выходной ток
-3...3А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
430нс
Время падения импульса
260нс
Кол-во каналов
2
Вид упаковки
туба
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
100В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g