0 0 0
  7. LM5101M/NOPB

Драйверы MOSFET/IGBT LM5101M/NOPB

 
LM5101M/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 102801
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1,8÷1,6А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
347.01 грн
4+
281.32 грн
10+
265.86 грн
95+
255.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 6 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение питания
9...14В DC(1493013)
Выходной ток
-1,8...1,6А(1802874)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
600нс(1802875)
Время падения импульса
600нс(1802876)
Кол-во каналов
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора MOSFET(1623576)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
100В(1711088)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM5101M/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 102801
IC: driver; полумост MOSFET; SO8; -1,8÷1,6А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
347.01 грн
4+
281.32 грн
10+
265.86 грн
95+
255.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 6 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напряжение питания
9...14В DC
Выходной ток
-1,8...1,6А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
600нс
Время падения импульса
600нс
Кол-во каналов
2
Вид упаковки
туба
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора MOSFET
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
100В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g